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器件制備設備

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高真空雙靶磁控離子濺射儀
高真空雙靶磁控離子濺射儀

產品概述▼

此設備具備直流磁控濺射與射頻磁控濺射雙靶頭于一機的特點,基于磁控濺射原理,在高真空環境下利用磁場約束等離子體實現靶材原子/離子的高效沉積,是制備高質量薄膜的關鍵設備;具備高真空環境保障,提升薄膜純度,廣譜靶材適配,滿足多元薄膜需求,支持金屬、無機非金屬類型靶材,搭載全自動控制系統,可實現真空抽氣、工藝參數設定、薄膜沉積一鍵式操作;已成為柔性電子薄膜制備的核心裝備,如:柔性透明導電薄膜制備,賦能柔性顯示與觸控;柔性電極與互聯線路制造,支撐柔性電功能,可廣泛應用于各類柔性傳感器的電極層與敏感層制備。

產品特點▼

● 高真空、高精度

 體積較小、操作智能

 直流、射頻雙靶濺射 功能強大

技術參數▼

工作原理

直流磁控濺射+射頻磁控濺射

靶材尺寸

φ57mm

真空室

φ200*130mm高透光率玻璃

樣品臺

φ100mm全自動樣品臺

射頻濺射功率

最大300W

 鍍膜均勻性

±5%

技術參數可能會因產品不斷的開發、研制而改變


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